影响LED芯片制造及其光电性能的因素分析

人类社会的进步离不开社会各方面的努力,各种电子产品的升级离不开设计师的努力。

实际上,许多人不了解LED等电子产品的组成。

LED芯片制造的主要目的是生产一种有效且可靠的低欧姆接触电极,该电极可满足可接触材料之间的相对较小的压降,并为压焊导线提供压力垫,同时尽可能多地发光。

膜过渡过程通常使用真空蒸发法。

在4Pa的高真空下,材料通过电阻加热或电子束轰击加热而熔化,并且BZX79C18变成低压下沉积在半导体材料表面的金属蒸气。

常用的P型接触金属包括AuBe,AuZn和其他合金。

通常将AuGeNi合金用作N表面的接触金属。

涂覆后形成的合金层还需要通过光刻工艺暴露出尽可能多的发光区域,从而剩余的合金层可以满足有效和可靠的低欧姆接触电极和引线键合焊盘的要求。

光刻工艺完成后,需要进行合金化工艺。

合金化通常在H2或N2的保护下进行。

合金化的时间和温度通常取决于诸如半导体材料的特性和合金炉的形式等因素。

当然,如果诸如蓝色和绿色的芯片电极工艺更加复杂,则必须增加钝化膜的生长和等离子体蚀刻工艺。

一般而言,LED外延生产完成后,其主要电性能已经确定,芯片制造不会改变其生产性能。

但是,在涂层和合金化过程中不适当的条件会导致某些电气参数下降。

例如,较低或较高的合金化温度将导致不良的欧姆接触。

欧姆接触不良是芯片制造中正向压降VF高的主要原因。

切割后,如果在芯片的边缘进行一些蚀刻工艺,则芯片的反向泄漏将得到更好的改善。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后,更多的碎屑和粉末会残留在切屑的边缘。

如果将它们连接到LED芯片的PN结,将导致泄漏甚至击穿。

LED芯片的大小可以根据功率大小分为低功率芯片,中功率芯片和高功率芯片。

根据客户要求,可分为单管水平,数字水平,点矩阵水平和装饰照明。

至于芯片的具体尺寸,是根据不同芯片厂商的实际生产水平确定的,没有特殊要求。

只要工艺通过,芯片尺寸就可以增加单位产量并降低成本,并且光电性能不会从根本上改变。

芯片使用的电流实际上与流过芯片的电流密度有关。

小芯片使用小电流,大芯片使用大电流。

它们的单位电流密度基本相同。

考虑到散热是大电流下的主要问题,其发光效率低于小电流。

所谓的透明电极必须能够导电,而另一个必须能够透射光。

现在,这种材料被更广泛地用于液晶生产过程中。

它的名称是铟锡氧化物(英文缩写ITO),但不能用作焊盘。

在生产过程中,必须在芯片的表面上制成欧姆电极,然后在该表面上覆盖一层ITO,然后在ITO的表面上镀一层焊盘。

这样,从引线流出的电流通过ITO层均匀地分布到每个欧姆接触电极。

随着半导体LED技术的发展,在照明领域中越来越多的应用。

尤其是,白色LED的出现已成为半导体照明的热点。

但是,关键的芯片和封装技术有待改进,芯片应朝着高功率,高光效和低热阻的方向发展。

增加功率意味着增加芯片使用的电流。

一种更直接的方法是增加芯片的尺寸。

如今,大功率芯片一般出现在1mm×1mm左右,电流为350mA。

蓝色LED通常使用Al2O3基板。

Al 2 O 3衬底具有高硬度,低导热率和低导电率。

如果采用前装式结构,一方面会带来防静电问题,另一方面

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