高通公司已正式发布其下一代旗舰5G SoC平台Snapdragon888。
该5G SoC移动平台以完全集成的方式内置了当前最强大的5G基带Snapdragon X60。
它是现阶段集成度最高的5G SoC，而Snapdragon 888则依靠其出色的性能和完善的功耗控制。
一经“登场”，便立即“吸引了无数粉丝”，成为现阶段芯片市场的“流量”角色，受到了众多手机厂商和消费者的热烈好评。
从规格的角度来看，Snapdragon 888使用三星的5nm工艺，这是目前最先进的制造工艺。
它可以使5G SoC Snapdragon 888具有更好的集成度，并可以有效降低功耗并提高处理效率。
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从10纳米制程到7纳米制程，高通Snapdragon 865的功耗降低了约30％，而将Snapdragon 888升级到5纳米，显然还有更多的SoC制程升级红利可以利用。
Snapdragon 888在CPU方面仍采用八核设计。
它使用1 + 3 + 4三集群体系结构。
它由Cortex X1的“超级内核”组成。
主频为2.84GHz，3个2.4GHz大Cortex A78大核和4个1.8GHz Cortex A55小核组成，与上一代CPU相比，性能大大提高。
三群集架构设计使Snapdragon 888在功耗和热量控制方面具有更好的性能。
当每天使用移动电话或运行普通游戏时，仅使用四个小核或三个大核，并且超大核处于“睡眠”状态。
状态。
仅当涉及非常复杂的计算或大型游戏时，超级核心才会“出现”。
1 + 3 + 4三集群设计非常实用。
整个内核可以在同一集群中自由切换以进行处理。
在提高性能的同时，大大降低了功耗。
此外，Snapdragon 888是完全集成的5G SOC。
与Snapdragon 865不同，Snapdragon 888使用的新的集成式Snapdragon X60基带允许Snapdragon 888在5G通信中消耗更少的功率。
值得一提的是，Snapdragon X60 5G基带也基于5nm工艺。
与X50的10nm和X55的7nm相比，5nm工艺将在发热量和功耗方面有非常显着的提高，同时体积会更大。
小的。
支持手机制造商制造更纤巧，更时尚的5G手机，而不必担心5G网络带来的功耗增加。
全新的5nm工艺和Snapdragon X60的集成设计从根本上解决了5G手机最令人担忧的功耗和发热问题。
同时，Snapdragon 888还具有高通公司的第六代AI引擎祝福。
遵循Qualcomm AI引擎的优良传统，第六代Qualcomm AI引擎不是单独的NPU，而是一组处理器协作系统，包括新的Hexagon 780处理器。
Hexagon 780处理器内部的标量，张量和矢量加速器的物理空间几乎消失了，从而实现了“融合”效果。
与上一代平台相比，Snapdragon 888的AI性能和能效实现了``跨越式的提升''，达到了``惊人的''增长。
每秒26万亿次操作（26 TOPS），每瓦性能已比Snapdragon 865提高了3倍。
此外，对于全天候运行且需要随时待机的AI感应场景，Snapdragon 888使用第二代Qualcomm传感器集线器（Sensing Hub），并添加了一个专用的AI处理器，该处理器始终处于打开状态且功耗低消耗。
这款AI处理器的最大特点是它最多可以共享Hexagon处理器的80％的负载，这意味着Snapdragon 888使用更智能的方式大大改善了AI引擎的性能和功耗控制它进一步提高了Snapdragon 888移动平台的性能和功耗控制水平。
对于消费者来说，最终的决定权在于芯片升级带来的性能提升和功耗性能方面的最终决定权。
科技的进步必须带给我们更多的升级体验。
这不仅是消费者和手机制造商的需求，也是鼓励芯片制造商继续前进的最终方向。
搭载Snapdragon 888的最新一代5G智能手机最早将于今年年底或明年年初与我们会面。
相信最终的性能和完美的表现
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