如何使用静音开关稳压器来实现低噪声和磁场消除，尽管不可能完全消除热环路面积，但我们可以将热环路分为极性相反的两个环路。
这可以有效地形成局部磁场，该局部磁场可以有效地在IC的任何位置相互抵消。
这就是静音开关稳压器背后的概念。
图1.静音开关稳压器中的磁场消除了倒装芯片，而不是键合线。
改善EMI的另一种方法是缩短热回路中的导线。
这可以通过放弃将芯片连接到封装引脚的传统键合线方法来实现。
翻转封装中的硅芯片，并添加铜柱。
通过缩短内部FET到封装引脚的距离和输入电容，可以进一步减小热环路的范围。
图2.拆卸LT8610键合线的示意图图3.带铜柱的倒装芯片图4.典型的Silent Switcher应用示意图及其在PCB上的外观图4显示了使用Silent Switcher稳压器的典型应用由两个输入电压引脚上的对称输入电容确定。
布局在该方案中非常重要，因为静音开关技术要求这些输入电容器尽可能对称地布置，以便利用场的相互抵消。
否则，SilentSwitcher技术的优势将丧失。
当然，问题在于如何确保设计和整个生产过程中的布局正确。
答案是Silent Switcher 2调节器。
Silent Switcher 2 Silent Switcher 2稳压器可以进一步降低EMI。
通过将电容器VIN电容器，INTVCC和升压电容器集成到LQFN封装中，消除了EMI性能对PCB布局的敏感性，并且可以将其放置在尽可能靠近引脚的位置。
所有热环路和接地层均在内部，以最大程度地降低EMI并使解决方案的总板面积更小。
Silent Switcher 2技术还可以改善散热性能。
LQFN倒装芯片封装上的多个大面积裸露焊盘有助于封装通过PCB散热。
消除高电阻键合线也可以提高转换效率。
在EMI性能测试期间，LT8640S可以满足CISPR 25 5类峰值限制的要求，并且具有很大的裕度。
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